Name: Vishay Siliconix SI1417EDH-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1417EDH-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI1417EDH-T1-E3

Artikelnummer:

SI1417EDH-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

Datenblätte:

1.SI1417EDH-T1-E3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf Material Compliance.pdf SI1417EDH.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI1417EDH-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1417EDH-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SC-70-6
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.7A (Ta)
Grundproduktnummer	SI1417
SI1417EDH-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI1417EDH-T1-E3 PDF - EN.pdf

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